Cercetatorii au creat cel mai mic dispozitiv de memorie existent pana acum, un progres care poate duce la cipuri electronice mai rapide, mai mici si mai eficiente din punct de vedere energetic pentru electronicele de consum si pentru informatica inspirata de creier.
Oamenii de stiinta de la Universitatea Texas din Austin, SUA, au descoperit legile fizice care deblocheaza capacitatea densa de stocare a memoriei pentru aceste dispozitive de dimensiuni mici.
In cadrul cercetarii, publicata recent in revista Nature Nanotechnology, oamenii de stiinta au redus dimensiunea a ceea ce era considerat atunci cel mai subtire dispozitiv de stocare a memoriei, reducand zona sectiunii transversale pana la un singur nanometru patrat.
Potrivit cercetatorilor, controlul asupra legilor fizice care determina capacitatea de stocare densa a memoriei acestor dispozitive le-a permis sa faca dispozitivul mult mai mic.
Ei spun ca gaurile extrem de mici din material ofera secretul deblocarii capacitatii de stocare a memoriei cu densitate ridicata.
„Cand un singur atom de metal suplimentar intra in acea gaura la scara nanometrica si o umple, el confera o parte din conductivitatea sa materialului, ducand la o schimbare sau efect de memorie”, a explicat Deji Akinwande, unul dintre coautorii studiului.
Desi au folosit compusul disulfura de molibden – cunoscut si sub numele de MoS2 – ca principal nanomaterial in cadrul studiului, cercetatorii considera ca descoperirea ar putea fi aplicata sutelor de materiale atomice subtiri.
Procesoarele mai mici permit producatorilor sa realizeze computere si telefoane mai compacte, mai spun cercetatorii, adaugand ca micsorarea cipurilor reduce, de asemenea, necesarul de energie si creste capacitatea.
Potrivit oamenilor de stiinta, toate acestea inseamna dispozitive mai rapide si mai inteligente, care necesita mai putina energie pentru a functiona.
Dispozitivul original – supranumit de catre cercetatori „atomristor” – era pe atunci cel mai subtire dispozitiv de stocare din toate timpurile, cu un singur strat atomic.
Cu toate acestea, micsorarea dispozitivului de memorie nu inseamna doar a-l face mai subtire, ci si a-i construi o sectiune transversala mai mica, au adaugat ei.
„Sfantul Graal stiintific al scalarii se reduce la un nivel in care un singur atom controleaza functia de memorie, iar asta este exact ceea ce am realizat cu noul studiu”, a spus Akinwande.
Noul dispozitiv se incadreaza in categoria memristorilor – o zona de cercetare a memoriei, care se concentreaza pe componentele electrice ce dispun de capacitatea de a modifica rezistenta intre cele doua borne, fara a fi nevoie de o a treia la mijloc.
Potrivit cercetatorilor, aceste device-uri pot fi mai mici decat dispozitivele de memorie folosite in prezent si se pot mandri cu o capacitate de stocare mai mare.
Ei mai spun ca noul memristor promite o capacitate de aproximativ 25 de terabiti pe centimetru patrat, ceea ce reprezinta o densitate a memoriei de 100 de ori mai mare per strat, comparativ cu dispozitivele de memorie flash disponibile in acest moment pe piata.
